| 发明名称 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 在等离子体处理装置(100)中，在基座(2)的上方配备有上侧板(60)和下侧板(61)。上侧板(60)和下侧板(61)由石英等耐热性绝缘体构成，并且相互离开规定的间隔，例如5mm，平行设置，具有多个贯通孔(60a)或(61a)。在重叠两片板的状态下，使它们错开位置形成，使得下侧板(61)的贯通孔(61a)和上侧板(60)的贯通孔(60a)不重合。 | ||
| 申请公布号 | CN100573830C | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200580031296.2 | 申请日期 | 2005.09.16 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 井出真司;佐佐木胜 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理方法，其特征在于：在等离子体处理装置的处理室内，对被处理基板进行等离子体处理，所述等离子体处理装置构成为，从对被处理基板进行等离子体处理的处理室的上部向载置在基板保持台上的被处理基板供给等离子体，同时设有选择通过单元，所述选择通过单元在所述基板保持台的上方，抑制等离子体中离子的通过，选择性地使氢自由基通过，所述选择通过单元配置有形成有多个贯通开口部的2片以上的板，使得该贯通开口部的位置不重合，所述板由绝缘体构成，所述等离子体处理选择性地使氢自由基作用于在被处理基板上形成的Low-k膜上，对该Low-k膜进行固化处理。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||