非易失性半导体存储器件

摘要

一种非易失性半导体存储器件，包括三维单元阵列以减小芯片尺寸。单元阵列，每个都具有排列在行及列方向上的单位单元，包括多层单位块单元阵列。基于单元阵列的放置方向，单位组单元阵列包括以给定群组排列在方向X、Y和Z上的单位块单元阵列。多个单位组单元阵列配置成分别执行读取/写入操作。其中，单位单元包括：底字线；绝缘层，形成于底字线之上；浮动沟道层，形成于绝缘层之上，且保持在浮动状态；铁电层，形成于数据储存于其中的浮动沟道层之上；以及字线，平行于底字线地形成于铁电层之上，其中，对于浮动沟道层的沟道区，根据铁电层的极性状态而感应出可变电阻，从而读取/写入数据。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器件，包括：多个单位组单元阵列，所述单位组单元阵列具有多个单位块单元阵列，所述单位块单元阵列包括多个单元阵列层，所述单元阵列层具有排列在行和列方向上的多个单位单元，其中，所述单位块单元阵列基于其各个单元阵列层的放置方向而排列在方向X，Y和Z上，且所述单位单元配置成分别执行读取/写入操作，其中，所述单位单元包括：底字线；绝缘层，形成于所述底字线之上；浮动沟道层，形成于所述绝缘层之上，且保持在浮动状态；铁电层，形成于数据储存于其中的所述浮动沟道层之上；以及字线，平行于所述底字线地形成于所述铁电层之上，其中，对于所述浮动沟道层的沟道区，根据所述铁电层的极性状态而感应出可变电阻，从而读取/写入数据。