| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，目的是谋求半导体装置的低电阻化，其特征在于，具有与第一金属膜(18)抵接的在半导体层上形成的贯通孔(10)；在所述贯通孔(10)的侧壁部上形成的绝缘膜(12)；在不形成所述绝缘膜(12)的所述贯通孔(10)的底部的第一金属膜(18)上和所述半导体层上形成的第二金属膜(13)；在所述贯通孔(10)内的所述绝缘膜(12)以及第一金属膜(18)上形成的阻挡层金属膜(14)以及通过所述阻挡层金属膜(14)在所述贯通孔内形成的配线层(15)。 | ||
| 申请公布号 | CN100573909C | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200610171901.2 | 申请日期 | 2006.12.06 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 | 发明人 | 及川贵弘 |
| 分类号 | H01L29/417(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具有：在表面上形成源极层的第一导电型的半导体衬底；从所述半导体衬底的表面到背面贯通的贯通孔；被覆所述贯通孔，在所述半导体衬底的背面上形成的第一金属膜；在所述贯通孔内形成的与所述第一金属膜电连接的漏极层；所述漏极层包含在所述半导体衬底的表面上形成而且与所述半导体衬底的表面连接的第二金属膜；在所述贯通孔的侧壁部上具有第一绝缘膜；所述漏极层包含被覆所述第一绝缘膜以及所述第二金属膜的第三金属膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||