发明名称 |
双极结晶体管及具有该结构的CMOS图像传感器 |
摘要 |
本发明提供一种水平型双极结晶体管元件(BJT)和具有该元件的CMOS图像传感器。在本发明实施例中,双极结晶体管的集电极电流可以在水平方向均匀流动,从而可增加电流的总量。在本发明实施例中,可获得较大电流增益。在本发明实施例中,可制造出具有不同电流增益的双极结晶体管元件。 |
申请公布号 |
CN100573894C |
申请公布日期 |
2009.12.23 |
申请号 |
CN200710142401.0 |
申请日期 |
2007.08.22 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
林秀 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郑小军 |
主权项 |
1.一种具有双极结晶体管的CMOS图像传感器,包括:N型的第一光电二极管、N型的第一集电极区、以及N型的第一发射极区,形成于导电衬底上;第一外延层,具有与所述第一光电二极管连接的N型的第一插塞、与所述第一集电极区连接的第二集电极区、以及与所述第一发射极区连接的第二发射极区;N型的第二光电二极管、与所述第二集电极区连接的第三集电极区、以及与所述第一外延层中的第二发射极区连接的第三发射极区,其中所述第二光电二极管通过在所述第一外延层中注入离子而形成;第二外延层,位于所述第一外延层上,并具有与所述第二光电二极管连接的N型的第二插塞、与所述第三发射极区连接的第四发射极区、以及与所述第三集电极区连接的第四集电极区;N型的第三光电二极管、与所述第四发射极区连接的N型的发射极接触区、以及与形成于所述第二外延层上的所述第四集电极区连接的N型的集电极区;和P型的基极接触区,形成于所述第二外延层上。 |
地址 |
韩国首尔 |