| 发明名称 | 氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有优良的光提取效率的氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法。由氮化镓基化合物半导体获得的发光器件包括：衬底；顺序层叠在衬底11上的n型半导体层13、发光层14和p型半导体层15；层叠在p型半导体15层上的可透光正电极16；设置在可透光正电极16上的正电极接合衬垫17；以及设置在n型半导体层13上的负电极接合衬垫18，其中在p型半导体层15的表面15a的至少一部分上形成无序不平坦表面。 | ||
| 申请公布号 | CN100573940C | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200680032214.0 | 申请日期 | 2006.09.05 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 村木典孝;篠原裕直;大泽弘 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李 峥 |
| 主权项 | 1.一种由氮化镓基化合物半导体获得的氮化镓基化合物半导体发光器件，包括：衬底；顺序层叠在所述衬底上的n型半导体层、发光层和p型半导体层；层叠在所述p型半导体层上的可透光正电极；设置在所述可透光正电极上的正电极接合衬垫；以及设置在所述n型半导体层上的负电极接合衬垫，其中在所述p型半导体层的表面的至少一部分上形成无序不平坦表面，在形成在所述p型半导体层的表面上的所述无序不平坦表面中的凸部之间的平均距离在0.01μm至3μm的范围内，所述平均距离为所述凸部的中心之间的距离，并且所述可透光正电极的表面为不平坦表面，在其上形成与所述p型半导体层的表面的所述凸部对应的凸部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||