发明名称 |
一种提纯硅的物理方法 |
摘要 |
本发明公开了一种提纯硅的物理方法。本发明的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种成型效率高、工艺简单、成本低的一种提纯硅的物理方法。本发明的目的在于克服上述缺点,提供一种效率高、工艺简单、成本低的提纯硅的物理方法。所述方法是利用硅与其中杂质的熔点和沸点的不同以及在不同压力、不同温度下的蒸发量的不同,通过加热对粗硅进行蒸馏,将硅与其中的杂质进行分离,从而提高硅的纯度的方法。将粗硅原料放置在加热器里,通过加热的方式使原料处于气体蒸发状态,通过对气体的分馏将杂质去除。所述加温过程是在分馏塔中进行,所述分馏塔与真空设备相连。本发明用于提纯用于制作太阳能电池的原料硅。 |
申请公布号 |
CN101607711A |
申请公布日期 |
2009.12.23 |
申请号 |
CN200810039100.X |
申请日期 |
2008.06.18 |
申请人 |
上海奇谋能源技术开发有限公司 |
发明人 |
王武生 |
分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种提纯硅的物理方法,其特征是:所述方法是利用硅与其中杂质的熔点和沸点的不同以及在不同压力、不同温度下的蒸发量的不同,通过加热对粗硅进行蒸馏,将硅与其中的杂质进行分离,从而提高硅的纯度的方法。 |
地址 |
201600上海市松江区松汇西路1558号A-208 |