发明名称 | 电阻式存储器元件的操作方法 | ||
摘要 | 一种电阻式存储器元件,其配置于衬底上,包括钨电极、上电极与氧化钨层。上电极配置于钨电极上。氧化钨层配置于钨电极与上电极之间。 | ||
申请公布号 | CN100573953C | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
申请号 | CN200710180755.4 | 申请日期 | 2007.10.11 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李明道;何家骅;赖二琨;谢光宇 |
分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 1.一种电阻式存储器的操作方法,该电阻式存储器包括多个电阻式存储器元件,各该电阻式存储器元件配置于一衬底上且包括一钨电极、配置于该钨电极上的一上电极及配置于该钨电极与该上电极之间的一氧化钨层,其特征在于,该操作方法包括:对各该氧化钨层施加一脉冲电压,以调整各该氧化钨层的电阻率,使得各该电阻式存储器元件具有至少两种储存状态;对各该氧化钨层施加该脉冲电压,以调整各该氧化钨层的该电阻率,当不对各该氧化钨层施加该脉冲电压时,各该电阻率为一第一电阻率,各该电阻式存储器元件处于一第一储存状态,当各该电阻率被调整为一第二电阻率时,各该电阻式存储器元件被程序化为一第二储存状态,当各该电阻率被调整为一第三电阻率时,各该电阻式存储器元件被程序化为一第三储存状态,当各该电阻率被调整为一第四电阻率时,各该电阻式存储器元件被程序化为一第四储存状态,其中该第二电阻率大于该第三电阻率,且该第三电阻率大于该第四电阻率。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |