| 发明名称 | 化学气相生长装置、膜的形成方法及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 采用MOCVD法在基材(10)上形成TiN膜时，通过加热器(2)将喷头(3)与捕集构件(5)之间的空间温度加热至TDMAT的热分解温度以上。然后，从喷头3将含TDMAT的原料气体等喷出至腔室(1)内。结果是，喷出至腔室(1)内的TDMAT，通过加热器(2)在喷头(3)与捕集构件(5)之间的空间中热分解为TiN、碳及烃。而且，TiN、碳及烃向着基材(10)移动。但是，碳及烃被捕集构件(5)捕集。另一方面，TiN则原样通过捕集构件(5)到达基材(10)。结果是，在基材(10)的表面生长不含碳及烃的TiN膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101611166A | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200780051487.4 | 申请日期 | 2007.03.15 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 上杉宏之 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 菅兴成;吴小瑛 |
| 主权项 | 1.一种化学气相生长装置，其特征在于，该化学气相生长装置具有：腔室；基座，该基座设置在上述腔室内；供给装置，该供给装置用于向上述腔室内供给含有机金属的原料气体；加热装置，该加热装置通过对从上述供给装置供给的有机金属进行加热从而使之分解；捕集装置，该捕集装置将因上述有机金属的分解而产生的碳和烃在到达上述基座之前进行捕集。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||