图像传感器

摘要

在光电二极管的衬底中提供了一种埋置氧化物使得与阴极相对，且所述埋置氧化物与耗尽层的下端接触。由于形成耗尽层的电荷而使得埋置氧化物被极化，因而埋置氧化物作为一个电容器工作。形成在耗尽层中的电容器以及由埋置氧化物制成的辅助电容器因而串联连接，这降低了总结电容Cs。根据等式Vs＝Qp/Ct，由于光荷量Qp是常数，因而导致光检测电压Vs增加。光检测电压Vs的增加使得光电二级管的SN比提高。此外，埋置氧化物容易形成，例如通过注入氧离子，使得可以低成本制造光电二极管。

主权项

1.一种图像传感器，包括：第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底在一侧具有光检测表面；第二导电类型的半导体区域，所述半导体区域布置在光检测表面下，并且与所述半导体衬底接合；和电介质体，所述电介质体被提供在所述半导体衬底中所述接合下，使得所述电介质体沿平行于所述光检测表面的方向的宽度小于所述半导体区域沿平行于所述光检测表面的所述方向的宽度，所述电介质体由于形成耗尽层区域的电荷而被极化，所述耗尽层区域通过所述半导体衬底和所述半导体区域产生，所述电介质体的所述宽度等于所述耗尽层区域的内表面沿平行于所述半导体衬底的所述光检测表面的所述方向的宽度，其中，所述电介质体包括构成所述半导体衬底的半导体的氧化物。