CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种CMOS图像传感器，包括：层间电介质层，形成于包括多个光电二极管和晶体管的半导体衬底上；第一滤色层、第二滤色层和第三滤色层，形成于该层间电介质层上，其中所述滤色层彼此相隔预定间隔；多个滤色隔离层，形成于该层间电介质层上；和微透镜，形成于每个滤色层的顶表面上；其中一部分滤色层位于该滤色隔离层的顶表面上，并且所述滤色层通过所述滤色隔离层而彼此相隔预定间隔。本发明的优点是能够防止在各滤色层边界的重叠，并且能够形成厚度均匀的各个滤色层。因此，可改善色再现。

主权项

1.一种CMOS图像传感器，包括：层间电介质层，形成于包括多个光电二极管和晶体管的半导体衬底上；第一滤色层、第二滤色层和第三滤色层，形成于该层间电介质层上，其中所述滤色层彼此相隔预定间隔；多个滤色隔离层，形成于该层间电介质层上；和微透镜，形成于每个滤色层的顶表面上；其中一部分所述滤色层位于该滤色隔离层的顶表面上，并且通过所述滤色隔离层而彼此相隔预定间隔，其中，在所述滤色隔离层的侧壁进一步形成具有预定厚度的隔离层间隔件。