| 发明名称 |
FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE, ASSOCIATED SEMICONDUCTOR STORAGE CELL, AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1563542(B1) |
申请公布日期 |
2009.12.23 |
| 申请号 |
EP20030779692 |
申请日期 |
2003.11.12 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HIERLEMANN, MATTHIAS;STRASSER, RUDOLF |
| 分类号 |
H01L27/02;H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/102;H01L27/108;H01L29/10;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L27/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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