发明名称 一种大功率半导体器件的散热结构
摘要 本实用新型涉及一种大功率半导体器件的散热结构,包括基体,以及以基体为中心向外呈辐射状布置的散热片,所述散热片与基体通过散热片内孔壁若干带有牙纹的导热齿连接形成导热孔,所述基体为外壁带牙纹上下封闭的空心筒,散热体上下两端分别由上密封盖和下密封盖密封使所有导热孔形成对流封闭的空间然后抽真空,所述下密封盖内盛有导热介质,所述散热结构散热性能好,造价低,适合用于大功率半导体器件如CPU、LED等的散热。
申请公布号 CN201368434Y 申请公布日期 2009.12.23
申请号 CN200920104891.X 申请日期 2009.01.13
申请人 蔡州 发明人 蔡州
分类号 F21V29/00(2006.01)I;H01L23/34(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N 主分类号 F21V29/00(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 代理人 张国良
主权项 1、一种大功率半导体器件的散热结构,包括基体,以及以基体为中心向外呈辐射状布置的散热片,其特征在于,所述散热片内部具有导热孔,所述基体为上下封闭的空心筒,所述散热片上下两端分别由上密封盖和下密封盖密封使所有导热孔形成对流封闭的空间,所述下密封盖内盛有导热介质。
地址 518100广东省深圳市宝安西乡前进路旁宝田三路宝田工业区43栋2楼