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发明名称
摘要	PURPOSE:To regulate emitter stabilizing resistance value without increasing parasitic elements by applying ion implantation or plasma etching to a poly-Si layer.
申请公布号	JPS6030112(B2)	申请公布日期	1985.07.15
申请号	JP19760140867	申请日期	1976.11.22
申请人	NIPPON ELECTRIC CO	发明人	NOGUCHI KAZUO
分类号	H01L27/04;H01L21/331;H01L21/822;H01L29/73	主分类号	H01L27/04
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