自体驱动LDMOS电晶体

摘要

本发明提供一种自体驱动LDMOS电晶体，其利用位于汲极端子与辅助区域之间的寄生电阻器。寄生电阻器形成于准连接深N型井中的两个空乏边界之间。当两个空乏边界夹止时，闸极端子处的闸极电压准位将被维持在汲极端子处的汲极电压准位。由于将闸极电压准位设计为等于或高于启动临界电压，因此LDMOS电晶体将相应地导通。此外，制造寄生电阻器不需要额外的晶片空间和光罩制程。而且，本发明的寄生电阻器不会降低LDMOS的崩溃电压和操作速度。另外，当两个空乏边界夹止时，闸极电压准位便不会随着汲极电压准位的增加而变动。

主权项

一种电压控制电晶体的结构，包含一电压控制端子、一源极端子和一汲极端子；其中该电压控制端子处的一电压准位系随着该汲极端子处的一电压变化而变化；当该电压控制电晶体的一夹止情况发生时，该电压控制端子处的电压准位将被控制以维持在一预定电压准位；当该电压控制端子处的电压准位超过该预定电压准位时，该电压控制端子处的电压准位将不再随着该汲极端子处的汲极电压准位变化而变化；其中一呈倒V型之不连续的极性分布结构系形成于该汲极端子与该电压控制端子之间；该电压控制端子连接到与该汲极端子具有相同掺杂极性的一辅助区域；其中该汲极电压准位控制两个空乏边界；当该两个空乏边界夹止时，该电压控制端子处的电压准位将被控制以维持在该预定电压准位。