多波长半导体雷射阵列及其制作方法

摘要

一种多波长半导体雷射阵列及其制造方法，利用具有不同发光波长的量子点主动区堆叠结构之雷射共振器，并配合制程方式改变各雷射共振器或上电极层的长度以造成不同的雷射振荡条件，以使各雷射共振器于特定的量子点主动区中产生单一波长雷射，进而获致可发出多种雷射波长之多波长半导体雷射阵列。

主权项

一种多波长半导体雷射阵列，当施加一适当偏压时可产生不同波长的雷射，该多波长半导体雷射阵列包含有：一基板；以及复数个雷射共振器，形成于该基板上并具有复数个相应之共振腔，其中各该雷射共振器包含有一可产生单一波长雷射之主动区，该主动区系由复数个量子点层及复数个量子点覆盖层交错堆叠而成，且该些雷射共振器具有至少两种不同共振腔长度，该主动区包含有复数个间隔层，该些间隔层与该量子点覆盖层将该量子点层夹置于其中以构成一周期性结构单元，该主动区中包含有复数个可产生不同发光波长之波段区域，该些波段区域系由复数个周期性结构单元堆叠形成。