发明名称 半导体装置
摘要 本发明系在半导体晶片周缘部设置用于引线接合与电镀布线两者之第三电极部、及引线接合专用之第一电极部,并在较上述周缘部内侧处设置电镀布线专用之第二电极部。此外,以金属旁路层连接第一电极部与第二电极部。进行引线接合时,使用第三电极部及第一电极部,且以绝缘层覆盖第二电极部。进行电镀布线时,使用第三电极部及第二电极部,且以绝缘层覆盖第一电极部。藉此,提供一种通用性高的半导体晶片,其可用于复数种半导体封装。
申请公布号 TWI318791 申请公布日期 2009.12.21
申请号 TW095135590 申请日期 2006.09.26
申请人 夏普股份有限公司 发明人 中西宏之;森治也
分类号 H01L23/498 主分类号 H01L23/498
代理机构 代理人 陈长文;林宗宏
主权项 一种半导体装置,其特征系含有半导体晶片,其系在主面含有半导体元件、及用以将讯号输入该半导体元件或输出之复数电极部,在上述复数电极部系包含:第一电极部及第三电极部,其系配置于上述主面的周缘部;及第二电极部,相较于上述第一电极部及第三电极部,其系配置于上述主面的内侧,上述第一电极部与上述第二电极部系电性相连接,上述第三电极部与上述第二电极部系电性不相连接,在上述半导体晶片的主面侧包含用以将上述电极部连接至外部装置之复数外部连接端子,上述复数外部连接端子系连接于上述第二电极部或上述第三电极部,上述第一电极部系由绝缘层所覆盖,从上述半导体晶片主面的法线方向观之,连接于上述第三电极部之至少一个上述复数外部连接端子系设于与上述第一电极部相重叠之区域。
地址 日本