| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。知的半导体装置在对电极焊垫施加过电压时，会有晶片内之电路元件遭到破坏的问题。本发明之半导体装置中，N型磊晶层3是由隔离区域4、5划分成复数个元件形成区域。在元件形成区域之一形成有NPN电晶体1。在NPN电晶体1的周围形成有具备PN接合区域21、22的保护元件。PN接合区域21、22的接合耐压比NPN电晶体1的PN接合区域20低。藉由此构造，对基极电极用焊垫施加负的ESD突波(surge)时，PN接合区域21、22会崩溃，而可保护NPN电晶体1。 |
| 申请公布号 |
TWI318794 |
申请公布日期 |
2009.12.21 |
| 申请号 |
TW095148707 |
申请日期 |
2006.12.25 |
| 申请人 |
三洋电机股份有限公司 |
发明人 |
大竹诚治 |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/76;H01L21/328;H01L27/04 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
一种半导体装置，其特征为具有：半导体层；形成在前述半导体层的双极电晶体；构成前述双极电晶体的扩散层与前述半导体层的第1接合区域；配置在前述双极电晶体之形成区域周围，并且具有其接合耐压比前述第1接合区域之接合耐压低的第2接合区域的保护元件。 |
| 地址 |
日本 |
