发明名称 静态随机存取记忆体单元以及其操作方法
摘要 本发明揭示一种改良式静态随机存取记忆体(SRAM)单元及其操作方法。SRAM单元包括一四个原始的电晶体,例如一对传送闸电晶体与一对拉升电晶体。SRAM单元亦包括藉由一埋藏绝缘层下方之P型井的接触以形成一对寄生电晶体,而使P型井为一闸控端;因此,上述埋藏绝缘层如同寄生电晶体的一闸极绝缘体。
申请公布号 TWI318793 申请公布日期 2009.12.21
申请号 TW095145951 申请日期 2006.12.08
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 李政宏
分类号 H01L27/11 主分类号 H01L27/11
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项 一种静态随机存取记忆体(SRAM)单元,包含有:一字元线用以接收一致能讯号;一第一与一第二传送闸电晶体,其闸控端耦接于上述字元线;一第一与一第二寄生电晶体,上述第一寄生电晶体与上述第一传送闸电晶体共享相同的源极端、基体端与汲极端,以及上述第二寄生电晶体与上述第二传送闸电晶体共享相同的源极端、基体端与汲极端;一第一与一第二位元线,上述第一位元线耦接于上述第一传送闸电晶体的一第一源极端或汲极端,以及上述第二位元线耦接于上述第二传送闸电晶体的一第一源极端或汲极端;以及一第一与一第二拉升电晶体,其源极端耦接于一系统高电压(Vcc);其中,上述第一拉升电晶体的一汲极端、上述第一传送闸电晶体的一第二源极端或汲极端、上述第二拉升电晶体的一闸控端,以及上述第二寄生电晶体的一闸控端系耦接在一起;以及其中,上述第二拉升电晶体的一汲极端、上述第二传送闸电晶体的一第二源极端或汲极端、上述第一拉升电晶体的一闸控端,以及上述第一寄生电晶体的一闸控端系耦接在一起。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号