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Die erfindungsgemäße Vorrichtung (1) zum Behandeln eines Halbleitersubstrates, wobei ein Ionenstrahl (4) aus einem Dotiergas erzeugbar und auf das Halbleitersubstrat (2) lenkbar ist, wobei das Dotiergas durch einen Dotiergasschlauch (6) aus einem ersten Kunststoff von einem adsorberfreien Gasbehälter (14) einem Mittel (3) zum Erzeugen eines Ionenstrahls zuführbar ist, wobei der Dotiergasschlauch (6) von einem Pufferschlauch (7) umgeben ist, der aus einem zweiten Kunststoff ausgebildet ist, zeichnet sich dadurch aus, dass mindestens eine der folgenden Maßnahmen verwirklicht ist: a) der Permeationskoeffizient des zweiten Kunststoffs für Wasser ist kleiner als der Permeationskoeffizient des ersten Kunststoffs für Wasser; b) der Pufferschlauch (6) ist von einem Schildschlauch (24) aus einem dritten Kunststoff umgeben; c) auf zumindest einer der folgenden Oberflächen des Pufferschlauches: i) der Innenfläche und ii) der Außenfläche ist eine Beschichtung (25, 26) ausgebildet; und d) der Dotiergasschlauch (6) ist mit einem Trockenmittel (28) verbindbar. Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Vorrichtung (1) erlauben es in vorteilhafter Weise, Vorrichtungen zum Behandeln von Halbleitersubstraten wie insbesondere Implanter aus adsorberfreien Gasflaschen (14) mit Dotiergas wie beispielsweise Phosphin und/oder Arsin zu versorgen. Aufgrund der Ausgestaltung von Pufferschlauch (7) und Schildschlauch (24), sowie den entsprechenden Beschichtungen (25, ...
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