Photoelektrische Wandlervorrichtung unter Verwendung von Halbleiter-Nanomaterialien und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Eine photoelektrische Wandlervorrichtung unter Verwendung eines Halbleiter-Nanomaterials, auf das eine Gleichrichtungswirkung angewendet wird, welche durch eine Schottky-Sperrschicht zwischen Halbleiter-Nanomaterialien und Metall verursacht wird, sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben werden bereitgestellt. Die photoelektrische Wandlervorrichtung umfasst ein Substrat, eine auf dem Substrat gebildete Isolationsschicht, eine Nanomaterialschicht aus einer Vielzahl von Halbleiter-Nanomaterialien, die vertikal zwischen der Isolationsschicht oder horizontal auf dem Substrat angeordnet sind, und eine Metallschicht, die sich auf der Schicht aus Halbleiter-Nanomaterial befindet, so dass mit den Halbleiter-Nanomaterialien zusammen eine Schottky-Sperrschicht entsteht. Die elektrische Energie wird durch Gleichrichtung erzeugt, welche zwischen den Halbleiter-Nanomaterialien und der Metallschicht, die miteinander die Schottky-Sperrschicht bilden, stattfindet.