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发明名称 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements mit einer High-K-Gate-Dielektrischen Schicht und einer Gateelektrode aus Metall
摘要
申请公布号 DE112005000854(B4) 申请公布日期 2009.12.17
申请号 DE200511000854T 申请日期 2005.03.31
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 BRASK, JUSTIN;KAVALIEROS, JACK;DOCZY, MARK;SHAH, UDAY;BARNS, CHRIS;METZ, MATTHEW;DATTA, SUMAN;CAPPELLANI, ANNALISA;CHAU, ROBERT
分类号 H01L21/8234;H01L21/8238 主分类号 H01L21/8234
代理机构 代理人
主权项
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