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经营范围
发明名称
Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherbauelement, Programmierverfahren und Leseverfahren
摘要
申请公布号
DE102006008872(B4)
申请公布日期
2009.12.17
申请号
DE200610008872
申请日期
2006.02.21
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.
发明人
PARK, KI TAE;CHOI, JUNG DAL
分类号
G11C16/10
主分类号
G11C16/10
代理机构
代理人
主权项
地址
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