Mikrostrukturbauelement mit einer Metallisierungsstruktur mit selbstjustierten Luftspalten zwischen dichtliegenden Metallleitungen

摘要

Es werden Luftspalte in selbstjustierter Weise mit einer Auflösung unterhalb des Auflösungsvermögens der Lithographie zwischen dichtliegenden Metallleitungen modernster Metallisierungssysteme von Halbleiterbauelementen bereitgestellt, indem das dielektrische Material in der Nähe der Metallleitungen vertieft wird und indem entsprechende Seitenwandabstandshalterelemente gebildet werden. Danach werden die Abstandshalterelemente als eine Ätzmaske verwendet, um die laterale Abmessung eines Spalts auf der Grundlage der entsprechenden Lufstspalte zu definieren, die dann durch Abscheiden eines weiteren dielektrischen Materials erhalten werden.