| 发明名称 | 四周环绕栅极鳍栅晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种四周环绕栅极鳍栅晶体管器件，包括：衬底；于衬底表面依次设置的绝缘层与半导体层，所述绝缘层靠近半导体层的表面具有一凹陷，所述半导体层包括位于凹陷处上方的悬空部分；栅介质层，所述栅介质层环绕半导体层位于凹槽上方的悬空部分；控制栅，所述控制栅设置于绝缘层表面，且所述控制栅包括环绕所述栅介质层的部分；以及源极和漏极区域。本发明的优点在于，能够提高栅极对导电沟道的控制能力，提高晶体管的电学性能，并且具有高集成度、低成本等的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101604705A | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200910053502.X | 申请日期 | 2009.06.19 |
| 申请人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 王曦;魏星 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 翟 羽 |
| 主权项 | 1.一种四周环绕栅极鳍栅晶体管器件，其特征在于，包括：衬底；于衬底表面依次设置的绝缘层与半导体层，所述绝缘层靠近半导体层的表面具有一凹陷，所述半导体层包括位于凹陷处上方的悬空部分；栅介质层，所述栅介质层环绕半导体层位于凹槽上方的悬空部分；所述被栅介质层环绕的半导体层悬空部分具有第一导电类型，悬空部分两侧的半导体层具有第二导电类型；控制栅，所述控制栅设置于绝缘层表面，且所述控制栅包括环绕所述栅介质层的部分；以及源极和漏极区域，位于悬空部分两侧的半导体层中，且紧靠半导体层悬空部分的两侧，具有第二导电类型。 | ||
| 地址 | 201821上海市嘉定区普惠路200号 | ||