一种MOS组件的结构

摘要

本发明一种MOS组件的结构，于源/漏极内之高浓度离子区(第一离子区及第二离子区)上与门极结构上，设有图案化金属硅化物层。位于第一离子区及第二离子区上的图案化金属硅化物层的水平宽度，小于第一离子区及第二离子区的水平宽度。此种栅极结构能保持原有的高击穿电压的特性，于栅极结构上及第一离子区及第二离子区上的图案化金属硅化物，可以降低与外部导电层连接时的接触电阻，增加与硅基板的附着性。

主权项

1、一种MOS组件的结构，包括具有半导体组件的基板，其特征在于该基板包含：一栅极结构，由下而上依次由一栅极氧化层及一多晶硅层组成；该栅极结构之源/漏极区位于该栅极结构的两侧内，一第一离子掺杂区及一第二离子掺杂区分别位于该栅极结构的源/漏极之内，且该第一离子区和第二离子区的掺杂离子浓度较源/漏极高；一图案化金属图案化金属硅化物层，位于该栅极结构、该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区上，位于该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区上的该图案化金属图案化金属硅化物层其水平宽度小于该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区，通过该图案化金属图案化金属硅化物层来降低栅极结构及源/漏极与外部连接的接触电阻及继续维持栅极结构的击穿电压。