发明名称 结晶制造方法以及装置
摘要 本发明提供一种结晶制造方法以及装置,能维持结晶品质,使结晶组成从成长初期至成长后期形成均一。一种结晶制造方法,通过加热液化保持于炉内的坩埚内的原料,从坩埚的下方向上方,徐冷原料溶液而制造所述结晶,其特征在于,调整加热器,在坩埚保持的炉内形成低温区域和高温区域的温度分布中,将补给原料,加热到与所述高温区域相同温度,从而反射板上被液化,补给原料在一定时间内被保持于反射板的表面,并从反射板供给给坩埚。一种结晶制造装置,包括原料供给装置;反射板,其设置于坩埚的上方,将从原料供给装置所供给的补给原料加热到与徐热温度相同的温度而液化,并将补给原料在反射板的表面保持一定时间,作为液体而落下到坩埚中。
申请公布号 CN100570018C 申请公布日期 2009.12.16
申请号 CN200580000866.1 申请日期 2005.06.10
申请人 日本电信电话株式会社 发明人 笹浦正弘;香田扩树;藤浦和夫;小林隆;今井钦之;栗原隆
分类号 C30B11/04(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 主分类号 C30B11/04(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 李香兰
主权项 1.一种结晶制造方法,通过加热液化保持于炉内的坩埚内的原料,从所述坩埚的下方向上方,徐冷所述原料溶液而制造所述结晶,包括如下步骤:调整加热器,而在所述坩埚保持的炉内的上下方向的温度分布中,含有在下方比结晶化温度低的低温区域,和在其上方比结晶化温度高的高温区域,将从设置于所述坩埚的上方的原料供给装置供给的补给原料,加热到与所述高温区域相同温度,从而所述补给原料在设置于坩埚的上方的反射板上被液化,所述补给原料在一定时间内被保持于所述反射板的表面,并从所述反射板供给给所述坩埚,和所述高温区域的温度是徐热温度,所述徐热温度是比结晶化温度高20-100度的高处理温度。
地址 日本东京