| 发明名称 | 脉冲超高纵横比电介质蚀刻 | ||
| 摘要 | 提供一种在蚀刻室中穿过碳基掩模选择性蚀刻超高纵横比特征介电层的方法。提供蚀刻气体流(包括含氟碳化合物分子和含氧分子)至该蚀刻室。提供脉冲偏置RF信号。提供激励RF信号以将该蚀刻气体转换为等离子。 | ||
| 申请公布号 | CN101606232A | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200880004180.3 | 申请日期 | 2008.02.04 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 池贞浩;埃里克·A·埃德尔伯格 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 1.一种在蚀刻室中穿过碳基掩模选择性蚀刻超高纵横比特征介电层的方法，包括：相对该碳基掩模选择性蚀刻该介电层，其中该选择性蚀刻在该碳基掩模上提供氟碳基聚合物净沉积；停止该选择性蚀刻；以及后续的相对该碳基掩模选择性蚀刻该介电层，包括：提供蚀刻气体流至该蚀刻室，该蚀刻气体包括含氟碳化合物分子和含氧分子；提供脉冲偏置RF信号；以及提供激励RF信号。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||