| 发明名称 | 气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法。气环能从各气体喷出口均匀地喷出气体。气环(11)为环状，包括：将气体从外部导入到气环(11)内的气体导入口(12a)、(12b)；喷出从气体导入口(12a)、(12b)导入的气体的多个气体喷出口(18a)～(18h)；从气体导入口(12a)、(12b)到各气体喷出口(18a)～(18h)沿环状延伸的多个分支路(21a)～(21f)。在此，从各气体喷出口(18a)～(18h)到作为各分支路(21a)～(21f)的分支点的部(23a)、(23d)的距离分别相等。 | ||
| 申请公布号 | CN101604624A | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200910147338.9 | 申请日期 | 2009.06.11 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 上田博一;田中义伸;大塚康弘;中桥政信 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 1.一种气环，其为环状，该气环包括：气体导入口，其用于将气体从外部导入到上述气环内；多个气体喷出口，其用于喷出从上述气体导入口导入的气体；多个分支路，其从上述气体导入口到上述气体喷出口沿环状延伸，从上述各气体喷出口到上述各分支路的分支点的距离分别相等。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||