| 发明名称 | 浅沟槽隔离成形工艺 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种浅沟槽隔离成形工艺，包括：有源区衬垫氧化及氮化硅沉积；介电抗反射膜沉积；有源区衬垫氧化层、介电抗反射膜以及有源区蚀刻，其中对于有源区的蚀刻为软蚀刻，以在有源区形成坡度；间隙壁氧化、沉积及蚀刻；浅沟槽蚀刻；浅沟槽内壁隔离层氧化及高密度等离子氧化沉积。采用本发明的技术方案，通过有源区的软蚀刻来形成坡度，使得在进行浅沟槽蚀刻成形时能容易地获得均匀的圆形顶角，避免了现有技术中复杂的浅沟槽蚀刻步骤以及多次地Liner Oxidation步骤，降低了成本，提高了生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN100570849C | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200610147949.X | 申请日期 | 2006.12.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 吴佳特;邬瑞彬 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆 嘉 |
| 主权项 | 1.一种浅沟槽隔离成形工艺，包括：有源区衬垫氧化及氮化硅沉积；介电抗反射膜沉积；有源区衬垫氧化层、介电抗反射膜以及有源区蚀刻，其中对于有源区的蚀刻为软蚀刻，以在有源区形成坡度；间隙壁进行氧化、沉积及蚀刻，以在衬垫氧化层、氮化硅层以及介电抗反射膜的侧壁上形成间隙壁；浅沟槽蚀刻；浅沟槽内壁隔离层氧化及高密度等离子氧化沉积。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||