| 主权项 |
1﹒具有下示通式之化合物式中R1为C1- C6烷基,C3-C7烯基,C3-C7 炔基,卤基(C1-C5)烷基,卤基( C3-C4)烯基,卤基(C3-C4) 烯基,卤基(C3-C4)炔基,C1- C4烷氧基(C1-C2)烷基或C1- C2烷硫基(C1-C2)烷基且R2为 氢原子或甲基。 2﹒如申请专利范围第1项所述之化合物,其 中R2为氢原子。 3﹒如申请专利范围第1项所述之化合物,其 中R1为C3-C4烯基,C3-C4炔 基,卤基(C1-C5)烷基或卤基(C 3-C4)烯基。 4﹒如申请专利范围第1项所述之化合物,其 中R1为C3-C4炔基或卤基(C3- C4)烯基且R2为氢原子。 5﹒如申请专利范围第1项所述之化合物为3 ─氯基─2─[7─氟基─4─丙炔基─ 2H─1,4─苯并─3(4H)─ 酮─6─基]─4,5,6,7─四氢─ 2H─唑。 6﹒如申请专利范围第1项所述之化合物,为 3─氯基─2─[7─氟基─4─(1─ 丁炔─3─基)─2H─1,4─苯并 ─3(4H)─酮─6─基]─4,5 ,6,7─四氢─1H─唑。 7﹒如申请专利范围第1项所述之化合物为3 ─氯基─2─[7─氟基─4─(2─氯 基─2─丙烯基)─2H─1,4─苯并 ─3(4H)─酮─6─基]─4, 5,6,7─四氟─2H─唑。 8﹒一种如申请专利范围第1项所述之化合物 的制法,包括令下式化合物(式中R2之 定义如申请专利范围第1项所述)与下式 化合物相反应,R1─X(式中R1之定 义如申请专利范围第1项所述,且X为强 敢去除氢原子的残基),而该反应系在惰 性溶剂中在大约0-60℃之温度下进行 大约0﹒5-3小时。 9﹒一种如申请再利范围第1项所述之化合物 的制法,包括令下式化合物与氯化剂相反 应,(式中R1及R2之定义如申请专利 范围第1项所述):而该反应系在溶剂中 在80-200℃之温度下进行5至20 小时。 10﹒具下式之化合物:式中R2为氢原子或甲 基。 11﹒如申请专利范围第10项所述之化合物, 其中R2为氢原子。式中R1为C1-C 6烷基,C3-C7烯基,C3-C7炔 基,卤基(C1-C5)烷基,卤基(C 3-C4)炔基,C1-C4烷氧基(C 1-C2)烷基或C1-C2烷硫基(C 1-C2)烷基,R2为氢原子或甲基。 12﹒具下式之化合物:13﹒具下式之化合物 ,式中R2为氢原子或甲基,R3为C1 -C5)烷基。 14﹒一种如申请专利范围第13项所述之化合 物的制法,包括;令下式化合物式中R2 及R3之定义均如与申请专利范围第13 项所述;而该反应系在盐基之存在下并在 惰性溶剂在在25-200℃之温度下进 行大约0﹒5至10小时。 15﹒具下式之化合物,式中R2为氢原子或甲 基。 16﹒具下式之化合物:式中R2为氢原子或甲 基,R4为氢原子,C1-C6烷基,C 3-C7烯基,C3-C7炔基,卤基( C1-C5)烷基,卤基(C3-C4) 烯基,卤基(C3-C4)炔基,(C1 -C4)烷氧基(C1-C2)烷基或C 1-C2烷硫基(C1-C2)烷基。 17﹒如申请专利范围第16项所述之化合物, 其中R2为氢原子。 18﹒如申请专利范围第16项所述之化合物, 其中R4为氢原子,C3-C4烯基,C 3-C4炔基,卤基(C1-C5)烷基 ,或卤基(C3-C4)烯基。 19﹒如申请专利范围第16项所述之化合物; 其中R4为氢原子,C3-C4炔基或卤 基(C3-C4)烯基。 20﹒如申请专利范围第16项所述之化合物, 其中R4为C3-C4炔基或由基(C3 -C4)烯基。 21﹒一种除草组成物,包括作为有效成份之具 除草有效量之如申请专利范围第1项所述 之化合物以及惰性载剂或稀释剂。 22﹒一种根绝有害莠草之方法,包括对已生长 或将生长之莠草区域施以具除草有效量之 ﹒如申请专利范围第1项所述之化合物及 情性载或稀释剂。 23﹒如申请专利范围第22项所述之方法,其 中施用步骤系在稻作田进行。 24﹒如申请专利范围第1项所述之化合物作为 除草剂的用途。 |
