| 发明名称 | 使用边缘印刷工艺的图案密度控制方法 | ||
| 摘要 | 一种结构制造方法。该方法包括提供设计结构，其包括(i)设计衬底，(ii)设计衬底上的M个设计正常区，其中M是大于1的正整数。接下来，在M个设计正常区的两个相邻设计正常区之间加上N个设计牺牲区，其中N是正整数。接下来，提供实际结构，其包括(i)对应于设计衬底的实际衬底，(ii)实际衬底上的待刻蚀层；(iii)待刻蚀层上的存储层。接下来，在存储层上执行边缘印刷工艺，以便形成(a)跟M个设计正常区对齐的M个正常存储部分，以及(b)跟N个设计牺牲区对齐的N个牺牲存储部分。 | ||
| 申请公布号 | CN100570493C | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200610143933.1 | 申请日期 | 2006.11.03 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 戴维·V.·霍拉克;查尔斯·W.克伯格三世;古川俊治;马克·C.·哈克;斯蒂芬·J.·霍姆斯 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦 晨 |
| 主权项 | 1.一种结构制造方法，包括：提供设计结构，其包括(i)设计衬底，和(ii)设计衬底上的M个设计正常区，其中M是大于1的正整数；在设计结构中加上在M个设计正常区的两个相邻设计正常区之间的N个设计牺牲区，其中N是正整数；提供实际结构，其包括(i)对应于设计衬底的实际衬底，(ii)实际衬底上的待刻蚀层；(iii)待刻蚀层上的存储层；在存储层上执行边缘印刷工艺，以便形成(a)跟M个设计正常区对齐的M个正常存储部分，以及(b)跟N个设计牺牲区对齐的N个牺牲存储部分；去除N个牺牲的存储部分；以及然后使用M个正常的存储部分作为屏蔽掩模以刻蚀待刻蚀层，以便从待刻蚀层形成M个实际正常区。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||