发明名称 圆片级扇出芯片封装结构
摘要 本发明涉及一种圆片级扇出芯片封装结构,包括薄膜介质层I(101),薄膜介质层I(101)上形成有光刻图形开口I(1011),在光刻图形开口以及薄膜介质层I表面设置有与基板端连接之金属电极(102)和再布线金属走线(103),在与基板端连接之金属电极表面、再布线金属走线表面以及薄膜介质层I表面覆盖有薄膜介质层II(104),在薄膜介质层II上形成有光刻图形开口II(1041),在光刻图形开口II设置有与芯片端连接之金属电极(105),将带有IC芯片(106)、金属柱/金属凸点(107)和焊料(108)的芯片倒装在与芯片端连接之金属电极上,形成芯片倒装的圆片,在圆片表面注塑封料(109),在所述与基板端连接之金属电极(102)上设置有焊球凸点(110)。本发明封装成本低,具备载带功能,且能很好解决工艺过程芯片移位问题。
申请公布号 CN101604674A 申请公布日期 2009.12.16
申请号 CN200910031886.5 申请日期 2009.06.26
申请人 江阴长电先进封装有限公司 发明人 张黎;赖志明;陈栋;陈锦辉;曹凯
分类号 H01L23/485(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I 主分类号 H01L23/485(2006.01)I
代理机构 江阴市同盛专利事务所 代理人 唐纫兰
主权项 1、一种圆片级扇出芯片封装结构,其特征在于所述芯片包括薄膜介质层I(101),所述薄膜介质层I(101)上形成有光刻图形开口I(1011),在所述光刻图形开口I(1011)以及薄膜介质层I(101)的表面设置有与基板端连接之金属电极(102)和再布线金属走线(103),在与基板端连接之金属电极(102)表面、再布线金属走线(103)表面以及薄膜介质层I(101)的表面覆盖有薄膜介质层II(104),在所述薄膜介质层II(104)上形成有光刻图形开口II(1041),在所述光刻图形开口II(1041)设置有与芯片端连接之金属电极(105),将带有IC芯片(106)、金属柱/金属凸点(107)和焊料(108)的芯片倒装在与芯片端连接之金属电极(105)上,形成芯片倒装的圆片,在所述圆片表面注塑封料(109),在所述与基板端连接之金属电极(102)上设置有焊球凸点(110)。
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