由硅矿产出单晶硅或多晶硅连续纯化反应处理装置

摘要

本实用新型是有关于一种由硅矿产出单晶硅或多晶硅连续纯化反应处理装置，包括：批次进料室、高温熔融炉、高温震荡炉、高温还原炉、长单晶硅炉。批次进料室分隔为上室及下室，下室永远保持无空气、无水份环境；高温熔融炉上端连接该下室，其通过一第二输送管道与高温还原炉连接，通过一第三输送管道与高温震荡炉连接，其上端又连接一杂质处理装置；高温震荡炉通过一第五输送管道接入该第二输送管道，进而与高温还原炉连接，其下端连接一真空室；高温还原炉上端的一侧连接该第二输送管道的另一端，另一侧与冷凝器及活性炭吸附装置连接，下部的一侧连接还原剂，另一侧连接长单晶硅炉。本实用新型使矿石在连续式高温处理下获得高纯化单晶硅或多晶硅。

主权项

1、一种由硅矿产出单晶硅或多晶硅连续纯化反应处理装置，其特征在于其包括：一批次进料室(2)，由PLC控制门将其分隔为上室(21)及下室(22)，其中该上室(21)的上端与一真空储料槽装置连接，该下室(22)的下端设有一第一输送管道(A)，且该下室(22)永远保持无空气、无水份的环境；一高温熔融炉(3)，其上端经由一第一PLC控制阀(3a)与该下室(22)下端的该第一输送管道(A)连接，该高温熔融炉(3)的下部设有一第二输送管道(B)，且该第二输送管道(B)在与该高温熔融炉(3)连接的一端上设有一第二PLC控制阀(3b)，在该高温熔融炉(3)的下端设有一第三输送管道(C)，且在该第三输送管道(C)上设有一第三PLC控制阀(3c)，另外在该高温熔融炉(3)的上端通过一第四PLC控制阀(3d)与一杂质处理装置相连；一高温震荡炉(4)，其上端经由该第三PLC控制阀(3c)与该第三输送管道(C)连接，该高温震荡炉(4)的下部设有一第五输送管道(E)，该第五输送管道(E)在与该高温震荡炉(4)连接的一端上设有一第五PLC控制阀(4a)，且该第五输送管道(E)的另一端接入该第二输送管道(B)，该高温震荡炉(4)的下端设有一第六输送管道(F)，该第六输送管道经由一第六PLC控制阀(4b)与一真空室连接；一高温还原炉(5)，其上端的一侧连接该第二输送管道(B)的另一端，该高温还原炉(5)上端的另一侧与一冷凝器及一活性炭吸附装置连接，该高温还原炉(5)下部的一侧通过一第七PLC控制阀(5a)经由一PLC控制阀组(5a1到5an)，与还原剂1到n连接，该高温还原炉(5)下部的另一侧设有一第八输送管道(H)，且在该第八输送管道(H)上设有一第八PLC控制阀(5b)；以及一长单晶硅炉(6)，其上端经由该第八PLC控制阀(5b)与该第八输送管道(H)连接。