发明名称 |
使用脉冲ALD技术在衬底上沉积薄膜的方法 |
摘要 |
本发明提供一种使用脉冲馈送处理在衬底上沉积薄膜的方法。所述方法包括执行将第二反应气体连续馈送入其中安装有所述衬底的腔室中的第二反应气体连续馈送处理,和在所述第二反应气体连续馈送处理期间执行多次处理周期,其包括将第一反应气体馈送入所述腔室中的第一反应气体馈送处理和清除并不依附在衬底上的第一反应气体的第一反应气体清除处理。所述第二反应气体连续馈送处理包括在所述第一反应气体清除处理期间以大于基本流量的脉冲流量馈送所述第二反应气体的第二反应气体脉冲处理。 |
申请公布号 |
CN100569998C |
申请公布日期 |
2009.12.16 |
申请号 |
CN200610064869.8 |
申请日期 |
2006.03.16 |
申请人 |
株式会社IPS |
发明人 |
朴永薰;李相奎;李起薰;徐泰旭 |
分类号 |
C23C16/448(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L21/365(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/448(2006.01)I |
代理机构 |
北京连和连知识产权代理有限公司 |
代理人 |
胡光星 |
主权项 |
1.一种在衬底上沉积薄膜的方法,所述方法包含:执行将第二反应气体连续馈送入其中安装有所述衬底的腔室中的第二反应气体连续馈送处理;和在所述第二反应气体进馈送处理期间执行多次处理周期,其包含将第一反应气体馈送入所述腔室中的第一反应气体馈送处理和清除并不依附在所述衬底上的所述第一反应气体的第一反应气体清除处理,其中所述第二反应气体连续馈送处理包含在所述第一反应气体清除处理期间以大于基本流量的脉冲流量馈送所述第二反应气体的第二反应气体脉冲处理。 |
地址 |
韩国京畿道 |