台型半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于谋求高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法的确立，通过使用廉价的材料来解决现有的因相当于PN接合部PNJC的位置的台沟内壁11的第2绝缘膜10的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的台型半导体装置，以在台沟5内壁形成由热氧化膜6所构成的稳定的保护膜来被覆保护PN接合部PNJC，并且在台沟5内的氧化膜6所夹的空隙填埋具有负电荷的绝缘膜7以使N-型半导体层2的与热氧化膜6的界面不易形成电子蓄积层。通过采用上述构成，减低热氧化膜6中的正电荷所造成的影响，而确保空乏层往与热氧化层6的界面的N-型半导体层的扩展。

主权项

1.一种台型半导体装置的制造方法，其特征在于含有：准备第1导电型的半导体基板，于前述半导体基板的表面形成比前述半导体基板低浓度的第1导电型的第1半导体层的步骤；于前述第1半导体层的表面形成第2导电型的第2半导体层的步骤；以屏蔽层局部性地被覆前述第2半导体层的表面，并形成从前述第2半导体层的表面到达前述半导体基板中的台沟的蚀刻步骤；在前述台沟内及前述第2半导体层上形成氧化膜的步骤；及在由前述台沟内的前述氧化膜所围成的沟内形成有机绝缘膜的步骤。