一种垂直GaN基LED芯片及其制作方法

摘要

本发明提供了一种垂直GaN基LED芯片及其制作方法，该芯片包括衬底、N型GaN、量子阱有源层、P型GaN、电流扩展层、金属反射镜和导电基板，在导电基板上制作有P电极，在衬底上设有直至N型GaN层的窗口，该窗口内各面蒸镀有一层金属，在这一金属层上引出有N电极。其制作方法包括：按常规方法在蓝宝石或者6H-SiC透明衬底上自下而上依次外延生长N型GaN、量子阱有源层、P型GaN和电流扩展层；在电流扩展层上制作金属反射镜；在金属反射镜上焊接导电基板；加工直至N型GaN层的窗口；在窗口内各面上蒸镀金属层，在金属层上引出N电极。本发明减少了工艺过程中不稳定因素影响，GaN基LED芯片有效发光面积利用率高，芯片电流扩展好，管芯散热好。

主权项

1.一种垂直GaN基LED芯片，自上而下依次包括蓝宝石或者6H-SiC透明衬底、N型GaN、量子阱有源层、P型GaN、电流扩展层、金属反射镜、键合焊接层和导电基板，在导电基板上制作有P电极，其特征是：在蓝宝石或者6H-SiC透明衬底上设有直至N型GaN层的窗口，该窗口内各面蒸镀有一层金属，在这一金属层上引出有N电极。