发明名称 |
具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池 |
摘要 |
本实用新型公开了一种具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池,以晶体硅为基片,依次包括:减反射和钝化膜[1],N型硅层[2],PN结[3],P型硅层[4],背面钝化层[5],P型层引出电极[6]从非受光面引出。根据本实用新型,硅基片上分布有从硅片受光面N型硅层[2]穿过PN结[3]、P型硅层[4],背面钝化层[5]的孔或槽;在这些孔或槽中分布有N型硅烧结体[7],N型层引出电极[8]与之连接,从非受光面引出。本实用新型实现电池电极全部由背表面引出,取得了转换效率高、极连方便、可靠性高等有益效果。 |
申请公布号 |
CN201364904Y |
申请公布日期 |
2009.12.16 |
申请号 |
CN200820154380.4 |
申请日期 |
2008.10.23 |
申请人 |
李涛勇 |
发明人 |
李涛勇 |
分类号 |
H01L31/06(2006.01)I;H01L31/068(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/06(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
1、一种具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池,以晶体硅为基片,从电池的受光面到非受光面依次包括:减反射和钝化膜[1],N型硅层[2],PN结[3],P型硅层[4],背面钝化层[5],P型层引出电极[6]从非受光面引出;其特征在于:所述的硅基片上,分布着一些从硅片的受光面N型硅层[2]穿过PN结[3]、P型硅层[4],背面钝化层[5]的孔或槽;在这些孔或槽中分布有N型硅烧结体[7],N型层引出电极[8]与N型硅烧结体[7]连接,从非受光面引出。 |
地址 |
200000上海市闵行区春申五村39号501室 |