| 发明名称 | 抛光垫及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料，二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积％到5体积％的区域(11)；以及有机材料(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN100570826C | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200410003134.5 | 申请日期 | 2004.02.06 |
| 申请人 | 株式会社东芝;JSR株式会社 | 发明人 | 南幅学;竖山佳邦;矢野博之;河村知男;长谷川亨 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B24B37/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
| 主权项 | 1.CMP垫，其特征在于没有研磨料，并且其特征在于其具有从100到600MPa的压缩弹性模量，并且包括微孔和/或水溶性固体材料，二者都具有0.05μm到290μm范围内的平均直径并且占据基于所述垫整个体积的1体积％到4体积％的范围的区域(11)；以及有机材料(10)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||