像素结构及其制造方法

摘要

一种像素结构的制造方法，其先在基板上形成栅极、与栅极电连接之扫描线以及在基板之边缘处与扫描线电连接的第一端子部。在基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极、扫描线与第一端子部。在栅极上方之栅绝缘层上定义出半导体层。图案化栅绝缘层以暴露出第一端子部。在基板上形成透明导电层。在透明导电层上形成图案化光刻胶层。之后，利用图案化光刻胶层为掩膜而图案化透明导电层，以定义出源极、漏极、与源极电连接的数据线、与漏极电连接的像素电极、与数据线电连接的第二端子部以及与第一端子部电连接之接触垫。由于上述之像素结构的制造方法只需使用四道光刻掩膜，因此可以降低制造成本。

主权项

1.一种像素结构的制造方法，其特征是包括：在基板上形成栅极、与该栅极电连接之扫描线以及在该基板之边缘处与该扫描线电连接的第一端子部；在该基板上形成栅绝缘层，以覆盖该栅极、该扫描线以及该第一端子部；在该栅极上方之该栅绝缘层上定义出半导体层；图案化该栅绝缘层，以暴露出该第一端子部；在该基板上形成透明导电层；在该透明导电层上形成图案化光刻胶层；利用该图案化光刻胶层为掩膜而图案化该透明导电层，以定义出源极、漏极、与该源极电连接的数据线、与该漏极电连接的像素电极、与该数据线电连接的第二端子部以及与该第一端子部电连接之接触垫；其中，利用两道不同的光刻掩膜工艺分别曝露出该第一端子部和定义该半导体层；且该源极、该漏极、该数据线、该像素电极、该第二端子部以及与该第一端子部电连接的该接触垫都是该透明导电层在同一道光刻掩膜工艺中同时形成。