| 发明名称 | 一种二阶段背式刻蚀的方法 | ||
| 摘要 | 一种二阶段背式刻蚀的方法，该方法包括：先提供已具有数层硬掩模层的基板。接着，第一次背刻蚀基板背面与侧边，以移除基板背面与侧边的部分硬掩模层。而后，依序图案化硬掩模层与基板，以在基板内形成数个沟渠。最后，在进行一湿槽清洗步骤之前，第二次背刻蚀基板侧边，以移除位于基板侧边的针状结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100570819C | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200710109413.3 | 申请日期 | 2007.06.18 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 王彦鹏 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁 挥;祁建国 |
| 主权项 | 1、一种二阶段背式刻蚀的方法，其特征在于，该方法至少包含：提供一基板，该基板具有多个硬掩模层；第一次背刻蚀该基板的背面与侧边，以移除位于该基板背面与侧边的该硬掩模层；依序图案化该硬掩模层与该基板，以在该基板内形成多个沟渠；在进行一湿槽清洗步骤之前，第二次背刻蚀该基板侧边，以移除位于该基板侧边的多个针状结构。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路十九号三楼 | ||