| 发明名称 | 低介电常数膜的改性剂及其生产方法 | ||
| 摘要 | 公开一种改性剂，其用于降低用于半导体器件的低介电常数膜的相对介电常数。具体地，公开一种用于低介电常数膜的改性剂，其特征在于，其包含由式(1)表示的硅化合物作为有效成分：R<sub>3-n</sub>H<sub>n</sub>SiN<sub>3</sub> (1)，其中R表示C1-C4烷基；n表示0至3的整数。 | ||
| 申请公布号 | CN101606235A | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200780050964.5 | 申请日期 | 2007.07.11 |
| 申请人 | 中央硝子株式会社 | 发明人 | 小川毅;大桥满也 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;刘冬梅 |
| 主权项 | 1.一种低介电常数膜的改性剂，其用于降低用于半导体器件的低介电常数膜的相对介电常数，所述低介电常数膜的改性剂包含由式(1)表示的硅化合物作为有效成分R3-nHn SiN3 (1)其中R是C1-C4烷基，n是0-3的整数。 | ||
| 地址 | 日本山口县 | ||