发明名称 偏转轭
摘要 一种能将漏泄到萤光幕前方之漏磁场加以抑制的偏转轭。此偏转轭的特征包括:相对对面设置在偏转轭射束射出侧的凸缘部之上的两对铁氧体磁心;以及从水平偏转线圈处延伸出来,并被缠绕在铁氧磁心之上的线圈,该等线圈是以一种能对主水平偏转磁场以外的其它所有磁场加以补偿的方式缠绕而成。
申请公布号 TW167773 申请公布日期 1991.09.01
申请号 TW080100169 申请日期 1991.01.09
申请人 三星电管股份有限公司 发明人 申铉正;朴源石;姜在浩;崔雄善;梁炫承;陈宗弼;郑诚培
分类号 H01J1/54 主分类号 H01J1/54
代理机构 代理人 龙云翔 台北巿长安东路一段二十三号十楼十之一室
主权项 1.一种装设在阴极射线管之颈部处,用以偏转电子枪所射出之电子束的偏转轭,包括:相对对面设置在偏转轭射束射出侧的凸缘部之上的两对铁氧体磁心:以及采用一种能产生磁场之方式而襁绕在前述碾心上面的线圈,该等线圈系从偏辗轭的水平偏转线圈处延伸出来,而其痱产生的磁场可以中和水平偏转线圈主偏转磁场以外的其它偏转磁场。2.如申请专利范围第1项所述之偏辗轭,其中前述铁氧体磁心的轴与偏转轭的轴之间的角度el是在58-63度的角度范围内。3.如申请专利范围第1项所述之偏转轭,其中前述磁心每一对之间的角度间隔之角度舀2是在24-54度的角度范*。4.如申请专利范围第1到第3项其中任一项所述之偏转轭,其中前述上方一对磁,b的线圈缠绕方向,与下方一对磁心的线圈缠绕方向,彼此相反。5.如申请专利范围第1到第2项其中任一项所述之偏转轭,其中前述铁氧体磁心系被承组在铁氧体承纳壳中,而该等铁氧体承纳窍则系装设在偏辅轭射束射出侧的凸缘部之上。6.如申请专利范围第5项所述之偏转轭,其中前述铁氧体磁心承钠壳系可拆卸式地被装置设在偏转轭射束射出侧的凸缘部之上。7.如申请专利范围第1到第8项其中任一项所述之偏转轭,其中前述铁氧体磁心的装设位置,相对于偏转轭之轴,可调整角度。8.如申请专利范围第7项所述之偏辗轭,其中前述撤氧体磁心的装设位置,系利用一个鬲形齿轮执行角度调整。9.如申谓专利范围第5项所述之偏转轭,其中前述铁氧体磁心承纳壳,相对于备转轭之轴,可调整角度。10.如申请专利范围第9项所述之偏转轭,其中前遮氧铁体磁心承纳壳的角度位置调整,系利用一个鬲形齿轮执行。11.如申请专利范围第1到第3项其中任一项所述之偏转轭,其中另在前述氧铁体碾心的开口前端加设钢片。12.如申请专利范围第5项所述之偏转轭,其中另在前述氧铁体磁心的开口前端加设钢片。13.如申请专利范围第6项所述之偏转轭,其中另在前述氧铁体磁心的开口前端加设转片。14.如申请专利范围第7项所述之偏转轭,其中另在前述氧铁体磁心的开口前端加设钢片。15.如申请专利范围第9项所述之偏转轭,其中另在前述氧铁体磁心的闲口前端加设钢片。16.如申请专利范围第1项所述之偏辗轭,其中前述襁绕在氧铁体磁心之上的线圈其各对线圈系串联连接,而线圈对之间的连接则系串联或并联。17.如申请专利范围第16项所述之偏转轭,其中有个电流调整区段系以并联形式而被连接在前述线圈的刨入端与转出端之间。18.如申请专利范围第17项所述之偏转轭,其中前述电流调整区蹬系由一个电流调整线圈横成。
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