场效电晶体(FET)

摘要

一种场效电晶体，包含：第一不纯物领域，形成于半导体基板之表面而有一端与通道领域之一端接触，第二不纯物领域，形成于上述半导体基板之表面而有一端与上述通道领域之另一端接触，并形成有最大深度大于上述第一不纯物领域之最大深度，闸极，藉闸绝缘膜形成于上述半导体基板之通道领域上，第一侧壁绝缘膜，形成于上述闸极之上述第一不纯物领域侧之侧壁，第一导电层，接触于上述第一侧壁绝缘膜之侧面并藉电连接于上述第一不纯物领域，而被施加指定电位，第二侧壁绝缘膜，形成于上述闸极之上述第二不纯物质域侧之侧壁，而具有大于上述第一侧壁绝缘膜之宽度，及第二导电层，接触于上述第二侧壁绝缘膜之侧面并藉电连接于上述第二不纯物领域者。

主权项

一种场效电晶体,包含:第一不纯物领域,形成于半导体基板之表面而有一端与通道领域之一端接触,第二不纯物领域,形成于上述半导体基板之表面而有一端与上述通道领域之另一端接触,并形成有最大深度大于上述第一不纯物领域之最大深度,闸极,藉闸绝缘膜形成于上述半导体基板之通道领域上,第一侧壁绝缘膜,形成于上述闸极之上述第一不纯物领域侧之侧壁,第一等电层,接触于上述第一侧壁绝缘膜之侧面并藉电连接于上述第一不纯物领域,而被施加指定电位,第二侧壁绝缘膜,形成于上述闸极之上述第二不纯物领域侧之侧壁,而具有大于上述第一侧壁绝缘膜之宽度,及第二等电层,接触于上述第二侧壁绝缘膜之侧面并藉电连接于上述第二不纯物领域者。