| 发明名称 | 一种制造AlGaN/AlInN复合势垒氮化镓场效应管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种制造AlGaN/AlInN复合势垒氮化镓场效应管的方法，工艺步骤分为，在衬底上依次生长成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层和AlInN下势垒层；在AlInN下势垒层上覆盖AlGaN上势垒层，构成复合势垒；用微电子工艺减薄AlGaN上势垒层上除预留制作栅电极的区域以外的AlGaN上势垒层；在其被减薄部分上制作源电极和漏电极；在AlGaN上势垒层上的预留制作栅电极的区域上制作栅电极。优点：展宽和提高势垒，完善沟道阱结构，增强电子气的二维特性，而且AlGaN/AlInN异质界面上的强负极化电荷提高能带剪裁的力度，满足欧姆接触、肖特基势垒、栅下沟道和栅外沟道各处不同异质结构的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN100570833C | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200810155399.5 | 申请日期 | 2008.10.28 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 薛舫时 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 | 代理人 | 沈根水;叶立剑 |
| 主权项 | 1、一种制造AlGaN/AlInN复合势垒氮化镓场效应管的方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：一、在衬底(9)上依次生长成核层(10)、AlGaN缓冲层(11)、GaN沟道层(12)、AlN隔离层(13)和AlInN下势垒层(14)，使沟道中产生高电子气密度；二、在AlInN下势垒层(14)上覆盖AlGaN上势垒层(15)，构成复合势垒；三、用微电子工艺减薄AlGaN上势垒层(15)上除预留制作栅电极的区域以外的AlGaN上势垒层(15)；四、在AlGaN上势垒层(15)的被减薄部分上制作源电极(17)和漏电极(18)；五、在AlGaN上势垒层(15)上的预留制作栅电极的区域上制作栅电极(16)。 | ||
| 地址 | 210016江苏省南京市中山东路524号 | ||