高感度半导体磁阻薄膜的制法及其元件

摘要

本发明系一种高感度半导体磁阻薄膜制法及其元件，首先系利用热氧化扩散方法于矽基板上长一层氧化矽，做为矽与锑化铟的界面层，再利用真空蒸镀技术将铟、锑或锑化铟等材料蒸发至基板上形成锑化铟薄膜，再使所形成的锑化铟薄膜经两段式退火处理，其中第一段于含氧量１～５％的氮气氛中做热处理，使锑化铟表面之锑扩散至表面蒸发，同时也使氧扩散至锑化铟薄膜与表面残留的铟形成氧化铟之氧化层，可防止退火时锑的分解蒸发，而第二段则系将长有氧化层之锑化铟薄膜置于纯保护性气体中，而形成一种含细微铟针状均匀分布析出的高感度锑化铟薄膜。

主权项

1.一种高感度半导体磁阻薄膜的制法,包括基板处 理、锑 化铟薄膜成长和锑化铟薄膜热处理,其中:a.基板处 理, 系利用热氧化扩散方法于矽晶片基板上长一层界 面层;b. 锑化铟薄膜成长,系利用真空蒸镀技术将铟、锑或 锑化铟 等材料蒸发至基板上,形成锑化铟薄膜;c.锑化铟薄 膜热 处理,系采两段式退火处理,其中第一段为含氧量 为1-5 %之保护性气体,第二段则为纯保护性气体;其中基 板处 上所长成的界面层约为1,000-10,000A厚的氧化矽(Siox) ,其系界于矽基板和锑化铟之间;其中锑化铟薄膜 成长时 ,锑化铟蒸镀基板的温度系保持在300-400。C 之间者 ; 锑化铟薄膜成份系控制于In/sb=0.82-2之间的値。2. 一种高感度半导体磁阻薄膜元件,其系依申请专利 范围 第1项之制法制之hoami 元件,其于锑化铟晶粒中包 含分