| 主权项 |
一种半导体装置，具有一p-n过渡区，该半导体装置设计成具一边缘区域的基材形式，且由一个第一传导类型的第一层类及一相反传类型的第二层类构成，第一层类由一第三部分层(3)构成，第二层类由至少二个部分层第一部分层(1)、第二部分层(2)构成，其中第二部分层(2)有一第二掺杂物浓度，第一部分层(1)有一第一掺杂物浓度，比第一掺杂物浓度低，其中该第一部分层(1)及第二部分层(2)构成的集合与该第三部分层(3)之间构成一pn过渡区，其中第三部分层(3)与第二部分层(2)间的pn过渡区只在晶片内部形成，而第三部分层(3)与第一部分层(1)之间的pn过渡区系在晶片的边缘区域中形成，且其中该第二层类更包含一第四部分层(4)，该第四部分层(4)有一第四掺杂物浓度，比第二掺杂物浓度高，且远比第一掺杂物浓度高，其特征在：该第四部分层(4)在一横截面积(BC)的大部分范围中在半导体装置(20)(30)的内部中系直接邻界到该第一部分层(2)，而只在横截面积(BC)的一较狭小的边缘区域中邻界到该第一部分层(1)。 |
