| 发明名称 |
立体记忆体阵列、产生记忆体电路的方法及包含记忆体装置的电路 |
| 摘要 |
一种产生一记忆体电路的方法最好包含1)形成第一复数条选择线(20)于一大致平行于一基材(10)的平面、2)形成第二复数条选择线(19，21)于一大致平行于该基材(10)的平面，其中该第二复数条选择线被分成第一(19)及第二(21)群，其中该第一群(19)系形成在一垂直于该第一复数条选择线(20)的方向并且该第二群(20)系形成在一大致对角线于该第一群(20)的方向、3)形成复数个垂直于该基材(10)的柱、及4)形成记忆体晶胞(22)的一阵列，每一个记忆体晶胞(22)被分别连接至一柱(18)及该等第一(20)与第二(19，21)复数条选择线的每个中之一。 |
| 申请公布号 |
TWI318407 |
申请公布日期 |
2009.12.11 |
| 申请号 |
TW092109777 |
申请日期 |
2003.04.25 |
| 申请人 |
惠普研发公司 |
发明人 |
佛瑞克 彼得Ｊ. FRICKE PETER J.;安德鲁Ｌ. 凡巴洛可林;安德鲁．寇 |
| 分类号 |
G11C5/02;G11C5/06 |
主分类号 |
G11C5/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
| 主权项 |
一种立体记忆体阵列，包含有：复数个记忆体晶胞，系安排于具有多列与多行之多个阵列中，该等阵列被分层堆积在一基材上；复数个传导柱，每一个传导柱被连接至该等复数个记忆体晶胞并延伸在记忆体晶胞的多层之间；第一复数条选择线，其系各自连接至在一列中的该等复数个记忆体晶胞；及第二复数条选择线，其系各自连接至该等复数个传导柱并被分成第一群与第二群；其中该第一群系对角线式地安排在该等传导柱之间。 |
| 地址 |
美国 |
