半导体装置之制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，藉此当在相同的半导体基板上形成两种电晶体时，在沟槽闸极电晶体及具有薄闸极绝缘膜的平面电晶体中均可获得高性能且简化之处理。在保护膜(12)覆盖周边电路区PE中之闸极绝缘膜(11s)的情况下，在储存单元区M中形成闸极沟槽(18)，其后在保护膜(12)仍覆盖周边电路区PE中的闸极绝缘膜(11s)的情况下，在闸极沟槽(18)的内壁上形成较闸极绝缘膜(11s)更厚的闸极绝缘膜(19)。

主权项

一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有储存单元区及周边电路区，该方法包括下列步骤：第一步骤，在至少该周边电路区的半导体基板上形成第一闸极绝缘膜；第二步骤，以保护膜覆盖该第一闸极绝缘膜；第三步骤，在该保护膜覆盖了该周边电路区上之该第一闸极绝缘膜的情况下，在该储存单元区中形成闸极沟槽；第四步骤，在该保护膜覆盖了该周边电路区上的该第一闸极绝缘膜的情况下，至少在该闸极沟槽的内壁上形成较该第一闸极绝缘膜更厚的第二闸极绝缘膜；及第五步骤，选择性地移除该第一闸极绝缘膜以留下该第一闸极绝缘膜之一部分，其作为属于该周边电路区之电晶体的闸极绝缘膜。