有机金属化合物及使用该有机金属化合物沉积金属膜之方法

摘要

本发明提供适于做为含第IV族金属之薄膜用之气相沉积前体之有机金属化合物，亦提供使用特定有机金属前体之含第IV族金属的薄膜之沉积方法。该等含第IV族金属之薄膜特别适合用于制造电子装置。

主权项

一种于基板上沉积含金属薄膜之方法，该方法包含下述步骤：a)输送呈气相之一或多种具下式I之有机金属化合物至含该基板之沉积室：[式中M为Ge；R1与R2独立地选自H及(C1-C12)烷基；各R3独立地选自正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、环戊基、己基、环己基、(C2-C12)烯基及(C6-C10)芳基，惟R3不为环戊二烯基；各R4独立地选自(C3-C12)烷基；X为卤素；a=0至3；b=0至3；c=0至3；d=0至2；e=0至4；及a+b+c+d+e=4；其中R3≠R4；其中a+b与a+d之和各≦3]；b)分解沉积室中之一或多种有机金属化合物；及c)于基板上沉积金属膜。