半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系关于一种半导体装置，其包括：一基底；至少一电晶体，位于该基底上；一介电层，覆盖该电晶体且具有一开口，露出该电晶体之一主动区；一氮化钽(TaN)阻障层，顺应地衬覆于该开口内，其中该氮化钽阻障层系原子层沉积而成(atomic layer deposited)且具有少于20埃之厚度；以及一铜层，位于该氮化钽阻障层上并填入于该开口。本发明亦关于一种半导体装置之制造方法。

主权项

一种半导体装置，包括：一基底；至少一电晶体，位于该基底上；一介电层，覆盖该电晶体且具有一开口，露出该电晶体之一主动区；一铜层，填入于该开口中；以及一氮化钽(TaN)阻障层，顺应地设置于该铜层与该开口内之该介电层之间并衬覆该开口，其中该氮化钽阻障层实体接触该铜层与该介电层与该主动区且该氮化钽阻障层系原子层沉积而成(atomic layer deposited)之单一膜层并具有少于20埃之厚度。